Žorés Ivánovič Alfërov (russo: Жоре́с Ива́нович Алфёров, bielorusso: Жарэс Іва́навіч Алфёраў)

Il padre bielorusso Ivan Karpovič era manager di una fabbrica, mentre la madre Anna Vladimirovna era di origine ebrea. Fu chiamato Žorés dal nome del socialista francese Jean Jaurès, mentre il fratello maggiore (morto a 20 anni nella seconda Guerra mondiale) fu chiamato Marx in onore di Karl Marx, infatti il padre nel 1917 a San Pietroburgo aveva aderito al partito bolscevico e mantenne per tutta la vita i suoi principi comunisti, raccontava ai figli piccoli le sue vicende di guerra e i suoi incontri con Lenin o Trockij.

Nel 1935 il padre si laureò alla Accademia Industriale e cominciò ad avere incarichi in tutto il paese portando con sé la famiglia, da Stalingrado a Novosibirsk, Barnaul, Turinsk e subito dopo la guerra nella distrutta Minsk dove dirigeva una fabbrica, mentre la madre lavorava come bibliotecaria.

Frequentò le scuole superiori a Minsk, dove  l’insegnante di fisica lo affascinò e lo incoraggiò a seguire studi scientifici, e nel 1947 si iscrisse all’Istituto Elettrotecnico V. I. Ul’ânov Lenin (LETI) di Leningrado (ora San Pietroburgo).

Qui trovò facili i corsi teorici, mentre era particolarmente attirato dalle attività di laboratorio in elettronica; sotto la guida di  N. N. Sozina studiò i semiconduttori e la sua tesi è stata sui film sottili fotoconduttori di tellururo di bismuto (Bi2Te3).

Nel dicembre 1952 si laureò e gli fu offerto di rimanere al LETI, ma ambiva ad entrare al prestigioso Istituto Fisico-Tecnico di Leningrado (LPTI) fondato da Abrám Fëdorovič Ióffe (il cui libro "Fundamentals of Modern Physics" era il suo manuale di riferimento), e riuscì ad avere uno dei tre posti disponibili. Non sapeva però che Ioffe (che era ebreo) era stato destituito da Stalin dal posto di direttore che aveva tenuto per trenta anni.

Qui venne inserito in un gruppo che lavorava ai diodi e triodi al germanio. L’Istituto era allora piuttosto piccolo, i fisici più famosi avevano seguito Kurčátov a Mosca al nuovo centro per la fisica atomica o Ióffe al nuovo laboratorio di semiconduttori dell’Accademia delle Scienze. Il nuovo direttore era l’accademico A. P. Komar che voleva cambiare l’impostazione del vecchio direttore, ma favorì lo sviluppo dell’Istituto e la ricerca su nuovi semiconduttori.

Sotto la guida di V. M. Tučkévič il team di giovani scienziati lavorò al primo transistor sovietico a giunzione p-n, nel 1953, e il primo ricevitore a transistor russo fu presentato alle autorità. In seguito il gruppo fu allargato e fu creato il primo raddrizzatore al germanio e i primi fotodiodi a germanio e silicio sovietici.

Nel 1958 furono incaricati di lavorare alla tecnologia a semiconduttore destinata al primo sottomarino nucleare sovietico, per la quale ottenne la sua prima onorificenza: l’ordine del distintivo d’onore.

Nel 1961 quando apparvero i laser a semiconduttore si rese conto dei vantaggi di impiegare la doppia eterostruttura di tipo (p-n-n+, n-n-p+), la sua idea fu formulata appena dopo il lavoro di R. Hall sul laser semiconduttore basato su una omostruttura p-n  di arseniuro di gallio (Ga As).

I vantaggi delle eterostrutture furono evidenti quando ottenne eterostrutture  di AlxGa1-xAs appena un mese prima dei ricercatori IBM in USA.

Da allora iniziò una competizione per lo sviluppo dell’elettronica basata su eterostrutture tra grandi laboratori americani, quali Bell Telephone, IBM e RCA.Nel 1967 sposò Tamara Darskaâ, figlia di un popolare attore del Teatro Voronež, che lavorava vicino a Mosca ad un progetto spaziale guidato da V. P. Gluško, dalla quale ebbe il figlio Vanâ.

Dal 1968 in poi i contributi, suoi e del suo gruppo, alla fisica e tecnologia delle eterostrutture di semiconduttori, soprattutto nell’ambito dell’arseniuro di gallio, e specialmente le sue indagini sulle proprietà di iniezione, sui processi di epitassia e lo sviluppo di laser, celle solari, LED, hanno portato alla nascita della moderna optoelettronica e nanotecnologia.

Nel 1969 visitò per la prima volta gli USA alla International Conference on Luminescence dove la sua relazione sui laser a temperatura ambiente basati su eterostrutture Al Ga As suscitò tanto interesse da essere invitato contemporaneamente a visitare i laboratori Bell, IBM e RCA.

Tornò nel 1970 negli USA per sei mesi nei laboratori di dispositivi a semiconduttore dell’Università dell’Illinois, per lavorare con Nick Holonyak, uno dei fondatori dell’optoelettronica, inventore del primo laser e LED a semiconduttore a luce visibile (rosso), che divenne uno dei più stretti amici e con il quale intrattenne una ininterrotta discussione su tutti gli aspetti della fisica dei semiconduttori, dell’elettronica, ma anche della politica e della vita.

Nel 1970 realizzò le prime celle solari a eterostrutture, e quando i ricercatori americani pubblicarono i loro primi lavori in merito erano già prodotte industrialmente e montate sui satelliti russi e in seguito sulla stazione spaziale MIR.

Nel 1987 fu nominato direttore dell’Istituto Fisico-Tecnico, dal 1960 rinominato Ioffe Institute, nel 1990 Vice-Presidente della Accademia delle Scienze Russa, e responsabile del Centro Scientifico di San Pietroburgo dell’Accademia.

In questi incarichi si dedicò allo sviluppo delle attività di ricerca dell’Accademia, stringendo collaborazioni con istituzioni universitarie ed educative. Fondò la Scuola secondaria speciale fisico-tecnica, annessa all’Istituto, e il Centro Didattico Scientifico luogo di incontro tra studiosi, studenti e scienziati in un palazzo chiamato ‘Palazzo della Conoscenza’. Organizzò anche cattedre e corsi di optoelettronica sia alla Università Elettrotecnica di San Pietroburgo (l’ex LETI), sia all’Istituto Politecnico.

Sotto il suo impulso l’Istituto Ioffe all’interno dell’Accademia delle Scienze è diventato uno degli istituti scientifici più importanti e all’avanguardia del mondo.

Nel 2000 gli è stato conferito il premio Nobel per la fisica, insieme a H. Krömer e J. S. C. Kilby, per ‘i suoi contributi allo sviluppo delle eterostrutture a semiconduttori usate in optoelettronica e nell’elettronica veloce’.

Nel 1995 è stato eletto al Parlamento Russo (Duma), come deputato del partito ‘Nostra casa – Russia’ (NDR) considerato vicino al Presidente Bori´s E´l’cin (Yeltsin). Nel 1999 fu rieletto come indipendente nella lista del Partito Comunista della Federazione Russa (KPRF), rieletto anche nel 2003 e nel 2007.

È stato uno dei 10 Accademici firmatari nel 2007 della lettera al Presidente Putin contro la clericalizzazione della Russia (in italiano: http://www.alferov.it/?page_id=296 ).

Nel 2010, è stato nominato direttore scientifico del centro di innovazione di Skolkovo e designato dal Presidente Medvedev quale responsabile scientifico del megaprogetto noto come “Silicon Valley Russa”.

Svolge una notevole attività di sostegno a giovani scienziati attraverso la Fondazione Skolkovo, che ha lo scopo di promuovere il raggiungimento di risultati socialmente utili nello sviluppo delle innovazioni di cui è presidente del comitato scientifico, e la Fondazione Alfërov, ‘per il sostegno all’istruzione e alla scienza’, anche attraverso il Liceo fisico-tecnico di San Pietroburgo da essa costituito, con sedi distaccate in Bielorussia, Ucraina e Italia a Roma.

Oltre al Nobel ha ricevuto numerosi premi e onorificenze in patria e all’estero, tra le quali la Medaglia Ballantyne dell’Istituto Franklin (USA, 1971); Premio Lenin (URSS, 1972); Premio European Physical Society (1978); Premio di Stato (URSS, 1984 e Russia 2001); Premio Ioffe (Accademia Russa delle Scienze, 1996); Premio Nick Holonyak Jr. (Società Ottica d’America, 2000); Premio Fondazione Inamori di Kyoto (Giappone, 2001); Premio V. I. Vernadskij (Ucraina, 2001); Medaglia d’oro della SPIE (2002); Premio Global Energy (Federazione Russa, 2005).

È membro dell’Istituto Franklin (USA),  delle Accademie delle Scienze Polacca, Bielorussa, Coreana, Ucraina, Moldava, Bulgara, Finlandese, Lituana e Americana, dell’Accademia Nazionale di Ingegneria (USA), dell’Institute of Physics (Gran Bretagna), dell’Optical Society of America (OSA), dell’Accademia Spagnola di Ingegneria, dell’Accademia delle Scienze detta ‘dei Quaranta’ (Italia).

Professore onorario dell’Università dell’Avana, di Nanjing (Cina), di San Cristoforo (Venezuela), ha avuto lauree onorarie dall’Istituto Kurčátov (Mosca), dall’Università di Stato di Mosca, dall’Università Politecnica di Madrid, dall’Istituto Superiore di Scienza e Tecnologia del Giappone, dall’Università di Plovdiv (Bulgaria), dall’Università di Ingegneria  del Perù, dall’Università di Turku (Finlandia), dall’Istituto Politecnico di Kiev (Ucraina), dall’Università dell’Armenia.

Ospite alla inaugurazione dell’Anno internazionale della Luce IYL2015, alla sede UNESCO di Parigi, ha tenuto una relazione dal titolo: “Efficient Light Conversion and Generation”.

Iniziale del cognome: A

Periodo: 1920-1940

Settore: Fisica dei solidi :: Fisica del LASER

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