Isamu Akasaki (赤﨑 勇)
Laureatosi (B. Sc.) nel 1952 all’Università di Kyoto, si impiegò subito alla Kobe Kogyo Corporation (ora Fujitsu), in un gruppo di ricerca su nuovi materiali elettronici, in particolare schermi fluorescenti per cinescopi TV.
Nel 1959 entrò alla Università di Nagoya come ricercatore e, nel 1964, conseguito il dottorato in ingegneria elettronica all’Università di Nagoya, divenne professore associato. La sua attività di ricerca riguardava la crescita epitassiale in fase di vapore (VPE) di cristalli di germanio e l’analisi delle impurezze.
Nel 1964 divenne capo del laboratorio di ricerca di base e quindi general manager del dipartimento semiconduttori del Matsushita Research Institute Tokyo (MRIT), occupandosi di dispositivi optoelettronici. Nel 1968 sviluppò cristalli di GaAs con la più grande mobilità elettronica dell’epoca e, nel 1970, l’allora più brillante LED rosso a GaP.
Nel 1967 si dedicò all’AlN (nitruro di alluminio) e al GaN (nitruro di gallio), intuendone le possibilità come emettitore di luce blu. Mentre negli anni settanta i ricercatori abbandonarono il settore dei nitruri per la difficoltà di ottenere cristalli singoli di GaN di alta qualità, lui riuscì nel 1973 a produrre cristalli di GaN e sviluppare emettitori di luce blu con giunzioni p–n di GaN.
Nel 1974 con la tecnica di epitassia da fasci molecolari (MBE) produsse per la prima volta cristalli singoli di GaN e ottenne un finanziamento triennale governativo per la ricerca e lo sviluppo di emettitori di luce blu basati sul GaN.
Nel 1978 tornò alla ricerca di base sulla crescita di cristalli, sviluppando nuove tecniche (MOVPE) e nel 1981 tornò all’Università di Nagoya come professore. Insieme a studenti e dottorandi, tra i quali Hiroshi Amano, ottennero significativi progressi nello studio della crescita e proprietà del GaN con numerose pubblicazioni e più di 200 brevetti. In pratica svilupparono tutte le tecnologie necessarie per i LED blu a giunzione p–n basati sul GaN.
Nel 1990 ottennero per la prima volta l’emissione stimolata nell’UV a temperatura ambiente, aprendo la strada ai diodi laser a nitruri, sviluppati nel 1995 (λ = 388 nm) e nel 1996 (λ = 376 nm).
Dal 1997 studiarono le difficoltà dovute al formarsi di campi piezoelettrici che riducevano l’efficienza e nel 2000 riuscirono a eliminarli, aprendo la strada allo sviluppo di emettitori di luce più efficienti. Lavorarono anche su rivelatori UV ad alta sensibilità (2004), transistor a effetto di campo a eterostruttura AlGaN/GaN (2006), celle solari ad alta efficienza GaInN (2012), fotosensori (2013) ed altro.
Tutti i profitti dei numerosi brevetti sono stati devoluti alla costruzione dell’Istituto Akasaki della Università di Nagoya, inaugurato nel 2006, che oltre a laboratori di ricerca contiene anche una mostra sullo sviluppo e applicazioni del LED blu.
Dal 2002 è professore emerito della Università di Nagoya e della Università Meijo.
Nel 2014 gli è stato conferito il Premio Nobel per la Fisica, unitamente a Hiroshi Amano e Shuji Nakamura, for the invention of efficient blue light-emitting diodes which has enabled bright and energy-saving white light sources.
Ha pubblicato più di 730 lavori e ha collaborato a più di 50 libri. Ha ottenuto oltre al Nobel numerosi riconoscimenti in patria e fuori, quali il premio della IOCG – International Organization for Crystal Growth (1998), il Premio Jack Morton (1998) e la Medaglia Edison della IEEE (2011), il John Bardeen Award (2006), il Kyoto Prize in Advanced Technology (2009), il Premio Charles Stark Draper della statunitense National Academy of Engineering, oltre all’Ordine della Cultura conferito nel 2011 dall’Imperatore del Giappone.
Ha avuto dottorati onorari dalle Università di Montpellier e Linköping, ed è socio onorario dell’Institute of Electrical and Electronics Engineers – IEEE.